Дата события: четверг, 7 Апреля, 2016 - 11:00
Доклад(ы):
Изучение образования дефектов в пленках кремния на сапфире под действием ионного облучения методом комбинационного рассеяния света
Влияние состава пучка кластерных ионов на дефектообразование в полупроводниках
Влияние процессов каналирования и дефектообразования на профиль распределения ксенона при имплантации в монокристалл кремния