Дата события: четверг, 7 Апреля, 2016 - 11:00
Событие:
Доклад(ы):
Изучение образования дефектов в пленках кремния на сапфире под действием ионного облучения методом комбинационного рассеяния света
Влияние состава пучка кластерных ионов на дефектообразование в полупроводниках
Влияние процессов каналирования и дефектообразования на профиль распределения ксенона при имплантации в монокристалл кремния
Место проведения: Россия, Москва, микрорайон Ленинские Горы, 1с5 (19 корпус), комната 2-15
Научный руководитель:
Секретарь: Затекин Владимир Витальевич
Структурные подразделения: